除工額外，中頻及高頻均需變頻設備，而中頻及高頻頻帶范圍與變額設備的原理及結構有密切關系。

　　中頻感應加熱設備

　　接其原理不同可分為兩大類：增頻發(fā)電機（也叫中頻發(fā)電機）及可控硅變頻裝置（也叫可控制的逆變器）。離子管式發(fā)生裝置（0.5～3千赫）在我回沒有得到應崩。

　　中頻發(fā)電機與一般發(fā)電機沒有本質醫(yī)圳，按發(fā)電機原理只要增加發(fā)電機磁極數(shù)量及轉速，*可融使共頻率得到提高。目前我國生產的中頻發(fā)電機的額率范圍為500—8000赫。每臺發(fā)電機只有一個頻率，而且是固定不業(yè)的。由于結構上的原因，很難特別限提高到10赫以上。500赫以下的需要特殊定貨。我國目前生產的中額發(fā)電機功率是50千瓦*600千瓦，已有系列產品。若功率不足時，可將同規(guī)格中頻發(fā)電機一臺或多臺并聯(lián)供電。

　　隨著可控硅技術的發(fā)展，自1966年瑞士首先研制成功可控硅中頻逆變裝置以來，七十年代得到了迅速發(fā)展。1969年上海滬東造船廠制造出我國笫一臺6 0千瓦1000赫的可控硅中頻加熱裝置用于彎曲管子時的加熱，引起了人們的興趣和重視。目前已有相當數(shù)量的工廠生產這類產品供給生產單位使用了。

　　可控硅中額裝置之所以得到迅速發(fā)展，首先是由于它的變頰披率較中頻發(fā)電機高出許多（前者為90—95%，后者為70～85%）；其次是加熱過程巾導磁率、電阻率，改變引起負載變化肘，能自動改變頻率，使變頻器始終工作在諧振狀態(tài)，印在*佳狀態(tài)下工作，而不像中頻發(fā)電機需補加電容來維持*佳工作狀態(tài)；此外，還有體積小、節(jié)約材料、占地面積小、噪音小、安裝簡便等許多優(yōu)點，因而有取代中頻發(fā)電機的趨勢。

　　可控硅中頻裝置的頻率變化范圍也較中頻發(fā)電機更寬。頻率  t越低變頻較易，當超過ioT赫后則較困難，下限頻率200-50Q赫茲，而上限可達20~50千赫。為了填補10～100千赫這段頻率的空白，提供高效率的變額器，各國都存進行研究。1973年法國首先研制出50千赫25kW的可控硅變頻器，我國西安電爐研究所不久前亦研制出頻率為30—50千赫功率為100—60千瓦的可控硅變頻器，為四化作出了貢獻。在功率方面為適應客觀需要而向大容